SiC功率半导体
当前条件:
SiC功率半导体
已选择:
名称
Description
DrainVoltage(Vdss)
Current
Drive Voltage
Vgs(th)
Rds On
Package
Power Dissipation
Input Capacitance (Ciss)
操作
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0032120D 1200V 63A
1200V
63A
15V
3.6V
32mΩ
TO-247-3
283W
3357 pF
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0032120K 1200V 63A
1200V
63A
15V
3.6V
32mΩ
TO-247-4L
283W
3357 pF
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0032120Ki 1200V 69A
1200V
69A
15V
3.6V
32mΩ
TO-247-4L
341W
3357 pF
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0040120D 1200V 66A
1200V
66A
15V
3.6V
40mΩ
TO-247-3
326W
2900 pF
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0040120K 1200V 66A
1200V
66A
15V
3.6V
40mΩ
TO-247-4L
326W
2900 pF
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0040120Ki 1200V 57A
1200V
57A
15V
3.8V
40mΩ
TO-247-4L
242W
2726 pF
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0045065D 650V 49A
650V
49A
15V
3.6V
45mΩ
TO-247-3
176W
1621 pF
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0045065K 650V 49A
650V
49A
15V
3.6V
45mΩ
TO-247-4L
176W
1621 pF
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0045075Ki 750V 42A
750V
42A
15V
3.8V
45mΩ
TO-247-4L
139W
1606 pF
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0060065D 650V 37A
650V
37A
15V
3.6V
60mΩ
TO-247-3
150W
1020 pF
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0060065K 650V 37A
650V
37A
15V
3.6V
60mΩ
TO-247-4L
150W
1020 pF
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0060075Ki 750V 35A
750V
35A
15V
3.8V
60mΩ
TO-247-4L
126W
1203 pF
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0065090D 900V 36A
900V
36A
15V
3.5V
65mΩ
TO-247-3
125W
660 pF
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0065100K 1000V 35A
1000V
35A
15V
3.5V
65mΩ
TO-247-4L
113.5W
660 pF
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0075120D 1200V 30A
1200V
30A
15V
4V
75mΩ
TO-247-3
113.6W
1350 pF
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0075120K 1200V 30A
1200V
30A
15V
4V
75mΩ
TO-247-4L
113.6W
1350 pF
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0075120Ki 1200V 32A
1200V
32A
15V
3.8V
75mΩ
TO-247-4L
145W
1480 pF
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0120065D 650V 22A
650V
22A
15V
3.6V
120mΩ
TO-247-3
98W
640 pF
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0120065K 650V 22A
650V
22A
15V
3.6V
120mΩ
TO-247-4L
98W
640 pF
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0120090D 900V 23A
900V
23A
15V
3.5V
120mΩ
TO-247-3
97W
414 pF
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