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两路常闭光继电器
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工业、消费类应用:美容仪器、智能机器人、BMS电池管理系统、智能终端、仪器仪表、测试装备、医疗设备、I/O控制、O/A控制、PLC控制等
碳化硅功率器件
碳化硅场效应管 SiC MOSFET
碳化硅场效应管 SiC MOSFET
提供了针对高效电流转换,开关和功率因数校正(PFC)设计的碳化硅MOSFET ,以满足工业和商业电力系统的独特需求。
碳化硅肖特基二极管
SiC Schokkty
碳化硅肖特基二极管整流器在充当电源转换和开关模式电源的交流开关时产生非常低的正向电压下降。这些设备也可用于控制电流流向其他保护二极管的流动。
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碳化硅功率器件目录
找到最佳解决方案。
产品参数范围覆盖:
碳化硅场效应管
碳化硅肖特基二极管
650V-3300V 7mΩ-50Ω
650V-3300V 50mA
-200A
光耦(光电耦合器)主要根据输出侧探测器类型、信号传输特性及功能分为:
晶体管光耦
达林顿光耦
双向可控硅驱动光耦
MOS驱动型光耦
MOSFET输出型光耦(光继电器)
可控硅输出型光耦(SSR固态继电器)
线性与非线性光耦
高速光耦等
SiC Wafer
SiC
Photo
1500V-3300V
5000Vrms
BMS电池管理应用
超高压碳化硅光继电器
化合物半导体磁传感器芯片
GaAs霍尔元件 InSb霍尔元件 磁阻元件 开关霍尔IC 线性霍尔IC 集成式电流传感芯片
应用 智慧工业 智慧交通 智能家居 消费电子 智慧能源
MAIN PRODUCTS
光耦 DMOSRELAY
1 FORM A - SOP4
1 FORM A - SMD4/DIP4
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2 FORM A - SOP8
2 FORM A - SMD8/DIP8
1 FORM B - SOP/SMD/DIP
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4 FORM A - SOP16
FORM C(A&B)
PHOTO DMOSRELAY 驱动
SiC功率半导体
SiC MOSFETs
SiC肖特基二极管
SiC功率模块
碳化硅继电器
800V MOS继电器
1500V MOS继电器
1800V MOS 继电器
3300V MOS 继电器
光耦合器
MOS驱动器光耦
栅极驱动器光耦
(GaAs/InSb)霍尔元件
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磁阻元件
霍尔IC
线性霍尔集成电路
集成电流传感器
SiC MOSFETs
当前条件:
SiC MOSFETs
已选择:
Drive Voltage : 15V
DrainVoltage(Vdss)
:
1000V
750V
900V
650V
1200V
Current
:
17.9A
32A
35A
42A
57A
69A
73A
80A
104A
125A
7.6A
11.5A
17A
23A
22A
30A
37A
49A
66A
63A
97A
100A
115A
120A
36A
Drive Voltage
:
15V
20V
Rds On
:
30mΩ
350mΩ
120mΩ
75mΩ
65mΩ
60mΩ
32mΩ
21mΩ
16mΩ
15mΩ
280mΩ
160mΩ
45mΩ
40mΩ
25mΩ
Package
:
TO-247-4L
TO-247-3
名称
Description
DrainVoltage(Vdss)
Current
Drive Voltage
Vgs(th)
Rds On
Package
Power Dissipation
Input Capacitance (Ciss)
操作
AC3M0015065D
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0015065D 650V 120A
650V
120A
15V
3.6V
15mΩ
TO-247-3
416W
5011 pF
AC3M0015065K
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0015065K 650V 120A
650V
120A
15V
3.6V
15mΩ
TO-247-4L
416W
5011 pF
AC3M0016120D
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0016120D 1200V 115A
1200V
115A
15V
3.6V
16mΩ
TO-247-3
556W
6085 pF
AC3M0016120K
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0016120K 1200V 115A
1200V
115A
15V
3.6V
16mΩ
TO-247-4L
556W
6085 pF
AC3M0016120Ki
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0016120Ki 1200V 125A
1200V
125A
15V
3.8V
16mΩ
TO-247-4L
483W
6922 pF
AC3M0021120D
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0021120D 1200V 100A
1200V
100A
15V
3.6V
21mΩ
TO-247-3
469W
4818 pF
AC3M0021120K
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0021120K 1200V 100A
1200V
100A
15V
3.6V
21mΩ
TO-247-4L
469W
4818 pF
AC3M0021120Ki
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0021120Ki 1200V 104A
1200V
104A
15V
3.8V
21mΩ
TO-247-4L
405W
5100 pF
AC3M0025065D
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0025065D 650V 97A
650V
97A
15V
3.6V
25mΩ
TO-247-3
326W
2980 pF
AC3M0025065K
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0025065K 650V 97A
650V
97A
15V
3.6V
25mΩ
TO-247-4L
326W
2980 pF
AC3M0025075Ki
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0025075Ki 750V 80A
750V
80A
15V
3.8V
25mΩ
TO-247-4L
262W
3055 pF
AC3M0030090K
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0030090K 900V 73A
900V
73A
15V
3.5V
30mΩ
TO-247-4L
240W
1503 pF
AC3M0032120D
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0032120D 1200V 63A
1200V
63A
15V
3.6V
32mΩ
TO-247-3
283W
3357 pF
AC3M0032120K
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0032120K 1200V 63A
1200V
63A
15V
3.6V
32mΩ
TO-247-4L
283W
3357 pF
AC3M0032120Ki
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0032120Ki 1200V 69A
1200V
69A
15V
3.6V
32mΩ
TO-247-4L
341W
3357 pF
AC3M0040120D
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0040120D 1200V 66A
1200V
66A
15V
3.6V
40mΩ
TO-247-3
326W
2900 pF
AC3M0040120K
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0040120K 1200V 66A
1200V
66A
15V
3.6V
40mΩ
TO-247-4L
326W
2900 pF
AC3M0040120Ki
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0040120Ki 1200V 57A
1200V
57A
15V
3.8V
40mΩ
TO-247-4L
242W
2726 pF
AC3M0045065D
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0045065D 650V 49A
650V
49A
15V
3.6V
45mΩ
TO-247-3
176W
1621 pF
AC3M0045065K
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0045065K 650V 49A
650V
49A
15V
3.6V
45mΩ
TO-247-4L
176W
1621 pF
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