SiC MOSFETs
当前条件：
SiC MOSFETs
已选择：
DrainVoltage(Vdss) : 900V
DrainVoltage(Vdss)
：
1000V 750V 900V 650V 1700V 1200V
 
Current
：
73A 11.5A 23A 36A
 
Rds On
：
30mΩ 120mΩ 65mΩ 280mΩ
 
Package
：
TO-247-4L TO-247-3
 
名称
Description
DrainVoltage(Vdss)
Current
Drive Voltage
Vgs(th)
Rds On
Package
Power Dissipation
Input Capacitance (Ciss)
操作
AC3M0030090K
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0030090K 900V 73A
900V
73A
15V
3.5V
30mΩ
TO-247-4L
240W
1503 pF
AC3M0065090D
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0065090D 900V 36A
900V
36A
15V
3.5V
65mΩ
TO-247-3
125W
660 pF
AC3M0120090D
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0120090D 900V 23A
900V
23A
15V
3.5V
120mΩ
TO-247-3
97W
414 pF
AC3M0280090D
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0280090D 900V 11.5A
900V
11.5A
15V
3.5V
280mΩ
TO-247-3
54W
150 pF
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