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工业、消费类应用:美容仪器、智能机器人、BMS电池管理系统、智能终端、仪器仪表、测试装备、医疗设备、I/O控制、O/A控制、PLC控制等
碳化硅功率器件
碳化硅场效应管 SiC MOSFET
碳化硅场效应管 SiC MOSFET
提供了针对高效电流转换,开关和功率因数校正(PFC)设计的碳化硅MOSFET ,以满足工业和商业电力系统的独特需求。
碳化硅肖特基二极管
SiC Schokkty
碳化硅肖特基二极管整流器在充当电源转换和开关模式电源的交流开关时产生非常低的正向电压下降。这些设备也可用于控制电流流向其他保护二极管的流动。
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碳化硅功率器件目录
找到最佳解决方案。
产品参数范围覆盖:
碳化硅场效应管
碳化硅肖特基二极管
650V-3300V 7mΩ-50Ω
650V-3300V 50mA
-200A
光耦(光电耦合器)主要根据输出侧探测器类型、信号传输特性及功能分为:
晶体管光耦
达林顿光耦
双向可控硅驱动光耦
MOS驱动型光耦
MOSFET输出型光耦(光继电器)
可控硅输出型光耦(SSR固态继电器)
线性与非线性光耦
高速光耦等
SiC Wafer
SiC
Photo
1500V-3300V
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BMS电池管理应用
超高压碳化硅光继电器
化合物半导体磁传感器芯片
GaAs霍尔元件 InSb霍尔元件 磁阻元件 开关霍尔IC 线性霍尔IC 集成式电流传感芯片
应用 智慧工业 智慧交通 智能家居 消费电子 智慧能源
MAIN PRODUCTS
光耦 DMOSRELAY
1 FORM A - SOP4
1 FORM A - SMD4/DIP4
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FORM C(A&B)
PHOTO DMOSRELAY 驱动
SiC功率半导体
SiC MOSFETs
SiC肖特基二极管
SiC功率模块
碳化硅继电器
800V MOS继电器
1500V MOS继电器
1800V MOS 继电器
3300V MOS 继电器
光耦合器
MOS驱动器光耦
栅极驱动器光耦
(GaAs/InSb)霍尔元件
GaAs霍尔元件
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线性霍尔集成电路
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GaAs霍尔元件
当前条件:
GaAs霍尔元件
已选择:
Input Resistance (Ω) : 450 ~ 750
Input Resistance (Ω)
:
600 ~ 1000
50 ~ 80
1600 ~ 2400
650 ~ 850
450 ~ 750
1000 ~ 1500
2200 ~ 3200
Form factor
:
SOT
SIP
名称
Operating Current (mA)
Maximum Input Current (mA)
Input Resistance (Ω)
Output resistance (Ω)
Hall output voltage (mV)
Offset voltage (mV)
Dimensions (mm)
Form factor
MPQ (pcs)
Operating Temperature (℃)
操作
ADG680
5
14
450 ~ 750
1000 ~ 2000
38~58
-4 ~ +4
2.6*1.5*0.6
SOT
4000
-40 ~ 125
ADG980
5
14
450 ~ 750
1000 ~ 2000
38~58
-4 ~ +4
2.35*2.7*0.95
SIP
500
-40 ~ 125
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:
深圳市福田区深南大道3003号北方工业大厦17楼
惠州市仲恺高新城三和大道群益产业园C2-3区7栋
联系电话:
+86-755-83-666-556
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