SiC功率半导体
当前条件：
SiC功率半导体
已选择：
Rds On : 120mΩ
DrainVoltage(Vdss)
：
1000V 900V 650V
 
Current
：
23A 22A
 
Rds On
：
30mΩ 350mΩ 120mΩ 75mΩ 65mΩ 60mΩ 32mΩ 21mΩ 16mΩ 15mΩ 1000mΩ 280mΩ 160mΩ 80mΩ 45mΩ 40mΩ 25mΩ
 
Package
：
TO-247-4L TO-247-3
 
名称
Description
DrainVoltage(Vdss)
Current
Drive Voltage
Vgs(th)
Rds On
Package
Power Dissipation
Input Capacitance (Ciss)
操作
AC3M0120065D
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0120065D 650V 22A
650V
22A
15V
3.6V
120mΩ
TO-247-3
98W
640 pF
AC3M0120065K
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0120065K 650V 22A
650V
22A
15V
3.6V
120mΩ
TO-247-4L
98W
640 pF
AC3M0120090D
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0120090D 900V 23A
900V
23A
15V
3.5V
120mΩ
TO-247-3
97W
414 pF
AC3M0120100K
SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0120100K 1000V 22A
1000V
22A
15V
3.5V
120mΩ
TO-247-4L
83W
350 pF
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