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单路、双路、多路型光继电器

一路常开光继电器

两路常开光继电器

一路常闭光继电器

两路常闭光继电器

一开一闭光继电器

四路常开光继电器

工业、消费类应用：美容仪器、智能机器人、BMS电池管理系统、智能终端、仪器仪表、测试装备、医疗设备、I/O控制、O/A控制、PLC控制等

碳化硅功率器件

碳化硅场效应管 SiC MOSFET

碳化硅场效应管 SiC MOSFET提供了针对高效电流转换，开关和功率因数校正（PFC）设计的碳化硅MOSFET ，以满足工业和商业电力系统的独特需求。

碳化硅肖特基二极管

SiC Schokkty

碳化硅肖特基二极管整流器在充当电源转换和开关模式电源的交流开关时产生非常低的正向电压下降。这些设备也可用于控制电流流向其他保护二极管的流动。

咨询我们碳化硅功率器件目录找到最佳解决方案。

产品参数范围覆盖：

碳化硅场效应管碳化硅肖特基二极管

650V-3300V 7mΩ-50Ω 650V-3300V 50mA-200A

光耦（光电耦合器）主要根据输出侧探测器类型、信号传输特性及功能分为：

晶体管光耦

达林顿光耦

双向可控硅驱动光耦

MOS驱动型光耦

MOSFET输出型光耦（光继电器）

可控硅输出型光耦（SSR固态继电器）

线性与非线性光耦

高速光耦等

SiC Wafer

SiC Photo

1500V-3300V
5000Vrms
BMS电池管理应用

超高压碳化硅光继电器

化合物半导体磁传感器芯片

GaAs霍尔元件 InSb霍尔元件磁阻元件开关霍尔IC 线性霍尔IC 集成式电流传感芯片

应用智慧工业智慧交通智能家居消费电子智慧能源

SiC MOSFETs

当前条件：

SiC MOSFETs

已选择：

DrainVoltage(Vdss)

：

1000V 750V 900V 650V 1700V 1200V

Current

：

17.9A 32A 35A 42A 57A 69A 73A 80A 104A 125A 7.6A 11.5A 17A 23A 22A 30A 37A 49A 66A 63A 97A 100A 115A 120A 4.9A 10A 19A 36A 72A 60A 90A

Drive Voltage

：

15V 20V

Rds On

：

30mΩ 350mΩ 120mΩ 75mΩ 65mΩ 60mΩ 32mΩ 21mΩ 16mΩ 15mΩ 1000mΩ 280mΩ 160mΩ 80mΩ 45mΩ 40mΩ 25mΩ

Package

：

TO-247-4L TO-247-3

名称

Description

DrainVoltage(Vdss)

Current

Drive Voltage

Vgs(th)

Rds On

Package

Power Dissipation

Input Capacitance (Ciss)

操作

AC2M0025120D

SiC MOS (Silicon Carbide)AC2M0025120D 1200V 90A

1200V

90A

20V

2.4V

25mΩ

TO-247-3

463W

2788 pF

AC2M0040120D

SiC MOS (Silicon Carbide)AC2M0040120D 1200V 60A

1200V

60A

20V

2.8V

40mΩ

TO-247-3

330W

1893 pF

AC2M0045170D

SiC MOS (Silicon Carbide)AC2M0045170D 1700V 72A

1700V

72A

20V

45mΩ

TO-247-3

520W

3672 pF

AC2M0045170K

SiC MOS (Silicon Carbide)AC2M0045170K 1700V 72A

1700V

72A

20V

45mΩ

TO-247-4L

520W

3672 pF

AC2M0080120D

SiC MOS (Silicon Carbide)AC2M0080120D 1200V 36A

1200V

36A

20V

80mΩ

TO-247-3

192W

950 pF

AC2M0160120D

SiC MOS (Silicon Carbide)AC2M0160120D 1200V 19A

1200V

19A

20V

2.5V

160mΩ

TO-247-3

125W

527 pF

AC2M0280120D

SiC MOS (Silicon Carbide)AC2M0280120D 1200V 10A

1200V

10A

20V

2.8V

280mΩ

TO-247-3

62.5W

259 pF

AC2M1000170D

SiC MOS (Silicon Carbide)AC2M1000170D 1700V 4.9A

1700V

4.9A

20V

1000mΩ

TO-247-3

69W

191 pF

AC3M0015065D

SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0015065D 650V 120A

650V

120A

15V

3.6V

15mΩ

TO-247-3

416W

5011 pF

AC3M0015065K

SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0015065K 650V 120A

650V

120A

15V

3.6V

15mΩ

TO-247-4L

416W

5011 pF

AC3M0016120D

SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0016120D 1200V 115A

1200V

115A

15V

3.6V

16mΩ

TO-247-3

556W

6085 pF

AC3M0016120K

SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0016120K 1200V 115A

1200V

115A

15V

3.6V

16mΩ

TO-247-4L

556W

6085 pF

AC3M0016120Ki

SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0016120Ki 1200V 125A

1200V

125A

15V

3.8V

16mΩ

TO-247-4L

483W

6922 pF

AC3M0021120D

SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0021120D 1200V 100A

1200V

100A

15V

3.6V

21mΩ

TO-247-3

469W

4818 pF

AC3M0021120K

SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0021120K 1200V 100A

1200V

100A

15V

3.6V

21mΩ

TO-247-4L

469W

4818 pF

AC3M0021120Ki

SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0021120Ki 1200V 104A

1200V

104A

15V

3.8V

21mΩ

TO-247-4L

405W

5100 pF

AC3M0025065D

SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0025065D 650V 97A

650V

97A

15V

3.6V

25mΩ

TO-247-3

326W

2980 pF

AC3M0025065K

SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0025065K 650V 97A

650V

97A

15V

3.6V

25mΩ

TO-247-4L

326W

2980 pF

AC3M0025075Ki

SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0025075Ki 750V 80A

750V

80A

15V

3.8V

25mΩ

TO-247-4L

262W

3055 pF

AC3M0030090K

SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0030090K 900V 73A

900V

73A

15V

3.5V

30mΩ

TO-247-4L

240W

1503 pF

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惠州市仲恺高新城三和大道群益产业园C2-3区7栋

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+86-755-83-666-556

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