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AC3M0021120Ki

 
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Model AC3M0021120Ki Description SiC MOS (Silicon Carbide)AC3M0021120Ki 1200V 104A
FET Type N-Channel Series Silicon Carbide
DrainVoltage(Vdss) 1200V Current 104A
Drive Voltage 15V Vgs (Max) +19V, -8V
Rds On 21mΩ Vgs(th) 3.8V
Gate Charge (Qg) 177 nC Input Capacitance (Ciss) 5100 pF
Power Dissipation 405W Operating Temperature -55°C ~ 175°C
Mounting Type Through Hole Package TO-247-4L
地址深圳市福田区深南大道3003号北方工业大厦17楼
惠州市仲恺高新城三和大道群益产业园C2-3区7栋

联系电话:
+86-755-83-666-556
+86-755-83-666-557
+86-755-83-666-558
电子邮件: apsemi@a-semi.com
sales@a-semi.com
design@a-semi.com

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