为工业物联网、智能终端、智慧城市、新能源、汽车电子及其他物联网应用提供高效且具成本效益的半导体芯片产品和解决方案
材料研发团队
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复合半导体
晶片设计团队
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霍尔传感器
光耦合器
功率半导体
半导体封装
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TO247 - 2/3/4 SOP4/8/16 SMD4/6/8 DIP4/6/8
SOT - 227 SOT23 TO92 DFN SIP ZIP
可靠性测试
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ISO9001 及 IATF16949
智慧工業
PHOTO DMOSRELAY 因其卓越的电气隔离性能而被广泛应用于工业控制和电子仪器中。它们适用于多种应用，包括 PC 电源、UPS 电源、变频器、PLC、I/O 设备、通信设备、医疗设备、测试设备、半导体测试设备、智能电錶等。光 MOS 继电器的不同特性使得能够为各种设备类型提供量身定制的解决方案。
汽車電子
矽功率半導體是新能源汽車充電系統中主驅動逆變器、DC/DC 轉換器、車載充電器 (OBC) 和充電樁的理想解決方案。它們有助於提高車輛性能、降低成本，並實現更緊湊的空間設計和更高的功率密度。
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電池管理系統
碳化矽光 MOS 繼電器是新能源汽車電池管理系統（BMS）和能源存儲系統 BMS 管理系統中常見的組件。
在電池管理系統中，SIC 光 MOS 繼電器用於電壓採集模塊、高壓絕緣檢測和平衡電路，以確保電池系統的安全性和效率。
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電子製造業
光电耦合器适合在多种行业中使用： -能源行业： 光伏能源储存系统、电源管理、不间断电源（UPS）。 -电信行业： 资料通讯、网路设备、内部伺服器通讯、 电信设备。 -工业自动化： 工业控制、电机驱动、自动化设备。 -家电行业： 家用电器如抽油烟机、微波炉和电磁炉中的控制和安全隔离。 -医疗设备行业： 医疗设备中的信号隔离和安全保护。 -汽车行业： 在汽车电子系统中，例如电池管理系统（BMS）和电机控制。 -电脑及办公设备行业： PC、OA 设备、PLC 控制器、I/O 控制板。
电子产品、电力工业
镓砷化物（GaAs）霍尔元件是用于电流感测、位移感测和其他应用的流行选择。铟锑化物（InSb）霍尔元件非常适用于直流无刷电机和闭环电流感测器。这些元件的超高灵敏度使其成为各种应用的理想选择：电源、无刷直流电机、高精度仪器、电池管理系统（BMS）、车载充电器（OBC）、空调逆变器、咖啡机、笔记本电脑、光伏逆变器（PV逆变器）、能源存储系统等等。
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—— 产品特征——
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PHOTO DMOSRELAY -高可靠性：稳定的导通电阻阻抗-高绝缘性：隔离电压可超过5KV。-长寿命：无机械接触，无开关磨损。
-高操作速度：工作/释放时间约为0.3ms。-其他优势：体积小，功耗低，漏电流低，无弹跳且无噪音。
SiC MOSFET & 肖特基二极管（SiC）MOSFETs能实现更高的开关频率并减小电感、电容、滤波器和变压器等元件的尺寸。将SiC二极管与SiC MOSFETs配对形成了更高效率的强大组合。SiC MOSFETs 取代硅器件，以实现更低的开关和传导损耗，具有更高的阻断电压和雪崩能力。个人电脑和其他电子设备在运行时不断损失电力。使用高性能功率半导体可以保持低功率损耗。高性能功率半导体不仅可以为个人电脑，而且可以为智能手机、汽车应用、火车和变电站实现节能。
光耦合器 -卓越电气隔离性能：输入/输出端子之间完全电气隔离。-信号单向传输：有效阻断电路与系统之间的连接以完成信号传输。-强大抗干扰能力：确保信号在传输过程中不受电磁干扰。-快速响应速度：毫秒响应速度，降低信号衰减。-简单电路设计：更容易匹配各种逻辑电路。
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(GaAs/InSb) 霍尔元件 -
砷化镓（GaAs）霍尔元件提供了许多关键优势，包括高灵敏度、低温度漂移、零磁滞、高达2T的磁场线性工作范围和其他优异特性。-锑化铟（InSb）霍尔元件提供超高灵敏度，但与GaAs霍尔元件相比，其温度特性不太有利。因此，通常使用恒压驱动以确保更稳定的温度特性，使其适用于直流无刷电机和闭环电流感测器。
—— 我们的优势——
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纵向整合模式 (IDM)
从晶片 设计到制造
R&D 之符合半导体材料与晶片
(Sic 功率半导体、GaAs 与 InSb 霍尔元件)
定制化晶片 设计服务
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